KTaO3 උපස්ථරය
විස්තර
පොටෑසියම් ටැන්ටලේට් තනි ස්ඵටිකයක් යනු පෙරොව්ස්කයිට් සහ පයිරොක්ලෝර් ව්යුහය සහිත නව වර්ගයේ ස්ඵටිකයකි.සුපිරි සන්නායක තුනී පටල යෙදීමේදී එයට පුළුල් වෙළඳපල අපේක්ෂාවන් ඇත.එයට විවිධ ප්‍රමාණවලින් සහ පිරිවිතරයන්ගෙන් පරිපූර්ණ ගුණාත්මක බවකින් යුත් තනි ස්ඵටික උපස්ථර සැපයිය හැකිය.
දේපළ
| වර්ධන ක්රමය | ඉහළ-බීජ උණු කිරීමේ ක්රමය |
| ස්ඵටික පද්ධතිය | ඝනක |
| ස්ඵටික දැලිස් නියතය | a= 3.989 A |
| ඝනත්වය (g/cm3) | 7.015 කි |
| ද්රවාංකය (℃) | ≈1500 |
| දෘඪතාව (Mho) | 6.0 |
| තාප සන්නායකතාව | 0.17 w/mk@300K |
| වර්තන | 2.14 |
KTaO3 උපස්ථර අර්ථ දැක්වීම
KTaO3 (පොටෑසියම් ටැන්ටලේට්) උපස්ථරය යනු පොටෑසියම් ටැන්ටලේට් (KTaO3) සංයෝගයෙන් සෑදූ ස්ඵටික උපස්ථරයකි.
KTaO3 යනු SrTiO3 ට සමාන ඝන ස්ඵටික ව්‍යුහයක් සහිත perovskite ද්‍රව්‍යයකි.KTaO3 උපස්ථරය විවිධ පර්යේෂණ සහ උපාංග යෙදුම් සඳහා විශේෂයෙන් ප්‍රයෝජනවත් වන ගුණාංග ඇත.KTaO3 හි ඉහළ පාර විද්‍යුත් නියතය සහ හොඳ විද්‍යුත් සන්නායකතාවය ධාරිත්‍රක, මතක උපාංග සහ අධි-සංඛ්‍යාත ඉලෙක්ට්‍රොනික පරිපථ වැනි යෙදුම් සඳහා සුදුසු වේ.මීට අමතරව, KTaO3 උපස්ථරවල විශිෂ්ට piezoelectric ගුණ ඇති අතර, ඒවා සංවේදක, ක්‍රියාකාරක සහ බලශක්ති අස්වනු නෙලන යන්ත්‍ර වැනි පීසෝ ඉලෙක්ට්‍රික් යෙදුම් සඳහා ප්‍රයෝජනවත් වේ.
piezoelectric ආචරණය KTaO3 උපස්ථරයට යාන්ත්‍රික ආතතියට හෝ යාන්ත්‍රික විරූපණයට ලක් වූ විට ආරෝපණ උත්පාදනය කිරීමට ඉඩ සලසයි.මීට අමතරව, KTaO3 උපස්ථරවලට අඩු උෂ්ණත්වවලදී ෆෙරෝ විද්‍යුත්තාව ප්‍රදර්ශනය කළ හැකි අතර, ඒවා ඝනීභූත පදාර්ථ භෞතික විද්‍යාව අධ්‍යයනයට සහ වාෂ්පශීලී නොවන මතක උපාංග සංවර්ධනය සඳහා අදාළ වේ.
සමස්තයක් ලෙස, KTaO3 උපස්ථර ඉලෙක්ට්‍රොනික, පීසෝ ඉලෙක්ට්‍රික් සහ ෆෙරෝ ඉලෙක්ට්‍රික් උපාංග සංවර්ධනය කිරීමේදී වැදගත් කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි.ඒවායේ ඉහළ පාර විද්‍යුත් නියතය, හොඳ විද්‍යුත් සන්නායකතාව සහ පීසෝ විද්‍යුත්තාව වැනි ගුණාංග නිසා ඒවා පුළුල් පරාසයක යෙදීම් සඳහා සුදුසු උපස්ථර ද්‍රව්‍ය බවට පත් කරයි.
සුපිරි සන්නායක තුනී පටල අර්ථ දැක්වීම
සුපිරි සන්නායක තුනී පටලයක් යනු සුපිරි සන්නායකතාව සහිත ද්‍රව්‍ය තුනී ස්ථරයක්, එනම් ශුන්‍ය ප්‍රතිරෝධයක් සහිත විද්‍යුත් ධාරාවක් සන්නයනය කිරීමේ හැකියාවයි.මෙම චිත්‍රපට සාමාන්‍යයෙන් සාදනු ලබන්නේ භෞතික වාෂ්ප තැන්පත් වීම, රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීම හෝ අණුක කදම්භ එපිටැක්සි වැනි විවිධ නිෂ්පාදන ශිල්පීය ක්‍රම භාවිතා කරමින් උපස්ථර මත සුපිරි සන්නායක ද්‍රව්‍ය තැන්පත් කිරීමෙනි.
