LiAlO2 උපස්ථරය

LiAlO2 උපස්ථරය යනු ලිතියම් ඇලුමිනියම් ඔක්සයිඩ් (LiAlO2) වලින් සාදන ලද උපස්ථරයකි.LiAlO2 යනු R3m අභ්‍යවකාශ කාණ්ඩයට අයත් ස්ඵටික සංයෝගයක් වන අතර ත්‍රිකෝණාකාර ස්ඵටික ව්‍යුහයක් ඇත.

LiAlO2 උපස්ථර තුනී පටල වර්ධනය, epitaxial ස්ථර සහ ඉලෙක්ට්‍රොනික, දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික සහ ෆොටෝනික් උපාංග සඳහා විෂම ව්‍යුහයන් ඇතුළු විවිධ යෙදුම්වල භාවිතා කර ඇත.එහි විශිෂ්ට භෞතික හා රසායනික ගුණාංග නිසා එය පුළුල් bandgap අර්ධ සන්නායක උපාංග සංවර්ධනය සඳහා විශේෂයෙන් සුදුසු වේ.

LiAlO2 උපස්ථරවල ප්‍රධාන යෙදුම්වලින් එකක් වන්නේ Gallium Nitride (GaN) පාදක වූ High Electron Mobility Transistors (HEMTs) සහ Light Emitting Diodes (LEDs) වැනි උපාංග ක්ෂේත්‍රයේය.LiAlO2 සහ GaN අතර දැලිස් නොගැලපීම සාපේක්ෂව කුඩා වන අතර, එය GaN තුනී පටලවල epitaxial වර්ධනය සඳහා සුදුසු උපස්ථරයක් බවට පත් කරයි.LiAlO2 උපස්ථරය GaN තැන්පත් කිරීම සඳහා උසස් තත්ත්වයේ අච්චුවක් සපයයි, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස උපාංග ක්‍රියාකාරීත්වය සහ විශ්වසනීයත්වය වැඩි දියුණු වේ.

LiAlO2 උපස්ථර මතක උපාංග සඳහා ෆෙරෝ ඉලෙක්ට්‍රික් ද්‍රව්‍යවල වර්ධනය, පීසෝ ඉලෙක්ට්‍රික් උපාංග සංවර්ධනය සහ ඝණ තත්වයේ බැටරි නිෂ්පාදනය වැනි වෙනත් ක්ෂේත්‍රවල ද භාවිතා වේ.ඉහළ තාප සන්නායකතාව, හොඳ යාන්ත්‍රික ස්ථායීතාවය සහ අඩු පාර විද්‍යුත් නියතය වැනි ඒවායේ අද්විතීය ගුණාංග මෙම යෙදුම්වල වාසි ලබා දෙයි.

සාරාංශයක් ලෙස, LiAlO2 උපස්ථරය යනු ලිතියම් ඇලුමිනියම් ඔක්සයිඩ් වලින් සාදන ලද උපස්ථරයක් වේ.LiAlO2 උපස්ථර විවිධ යෙදුම්වල භාවිතා වේ, විශේෂයෙන් GaN-පාදක උපාංග වර්ධනය සඳහා සහ අනෙකුත් ඉලෙක්ට්‍රොනික, දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික සහ ෆෝටෝනික් උපාංග සංවර්ධනය සඳහා.ඒවා තුනී පටල හා විෂම ව්‍යුහයන් තැන්පත් කිරීමට සහ උපාංග ක්‍රියාකාරීත්වය වැඩි දියුණු කිරීමට සුදුසු භෞතික හා රසායනික ගුණ ඇත.