GaAs උපස්ථරය
විස්තර
Gallium Arsenide (GaAs) යනු වැදගත් සහ පරිණත කාණ්ඩයේ III-Ⅴ සංයෝග අර්ධ සන්නායකයකි, එය දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික් සහ ක්ෂුද්‍ර ඉලෙක්ට්‍රොනික් ක්ෂේත්‍රයේ බහුලව භාවිතා වේ.GaAs ප්‍රධාන වශයෙන් කාණ්ඩ දෙකකට බෙදා ඇත: අර්ධ පරිවාරක GaAs සහ N-type GaAs.අර්ධ පරිවාරක GaAs ප්‍රධාන වශයෙන් භාවිතා කරනුයේ රේඩාර්, මයික්‍රෝවේව් සහ මිලිමීටර තරංග සන්නිවේදනය, අතිශය අධිවේගී පරිගණක සහ දෘශ්‍ය තන්තු සන්නිවේදනය සඳහා භාවිතා කරන MESFET, HEMT සහ HBT ව්‍යුහයන් සමඟ ඒකාබද්ධ පරිපථ සෑදීම සඳහා ය.N-type GaAs ප්‍රධාන වශයෙන් LD, LED, ආසන්න අධෝරක්ත ලේසර්, ක්වොන්ටම් ළිං අධි බල ලේසර් සහ අධි-කාර්යක්ෂම සූර්ය කෝෂ වල භාවිතා වේ.
දේපළ
| පළිඟු | මාත්‍රාව දැම්මා | සන්නායක වර්ගය | ප්රවාහවල සාන්ද්රණය cm-3 | ඝනත්වය cm-2 | වර්ධන ක්රමය |
| GaAs | කිසිවක් නැත | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs උපස්ථර අර්ථ දැක්වීම
GaAs උපස්ථරය යනු ගැලියම් ආසනයිඩ් (GaAs) ස්ඵටික ද්‍රව්‍ය වලින් සාදන ලද උපස්ථරයක් වේ.GaAs යනු ගැලියම් (Ga) සහ ආසනික් (As) මූලද්‍රව්‍ය වලින් සමන්විත සංයෝග අර්ධ සන්නායකයකි.
GaAs උපස්ථර බොහෝ විට ඉලෙක්ට්‍රොනික හා දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික ක්ෂේත්‍රවල ඒවායේ විශිෂ්ට ගුණාංග නිසා භාවිතා වේ.GaAs උපස්ථරවල සමහර ප්‍රධාන ගුණාංග ඇතුළත් වේ:
1. ඉහළ ඉලෙක්ට්‍රෝන සංචලතාව: සිලිකන් (Si) වැනි අනෙකුත් පොදු අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යවලට වඩා GaAs ඉහළ ඉලෙක්ට්‍රෝන සංචලතාවක් ඇත.මෙම ලක්ෂණය මගින් GaAs උපස්ථරය අධි-සංඛ්‍යාත අධි බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ සඳහා සුදුසු වේ.
2. සෘජු කලාප පරතරය: GaAs වලට සෘජු කලාප පරතරයක් ඇත, එයින් අදහස් කරන්නේ ඉලෙක්ට්‍රෝන සහ සිදුරු නැවත ඒකාබද්ධ වන විට කාර්යක්ෂම ආලෝක විමෝචනයක් සිදුවිය හැකි බවයි.මෙම ලක්ෂණය ආලෝකය විමෝචක ඩයෝඩ (LEDs) සහ ලේසර් වැනි දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදුම් සඳහා GaAs උපස්ථර වඩාත් සුදුසු වේ.
3. පුළුල් කලාප ගැප්: GaAs හට සිලිකන් වලට වඩා පුළුල් කලාප පරතරයක් ඇති අතර, එය ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී ක්‍රියා කිරීමට හැකි වේ.මෙම ගුණාංගය GaAs මත පදනම් වූ උපාංගවලට ඉහළ උෂ්ණත්ව පරිසරයක වඩාත් කාර්යක්ෂමව ක්‍රියා කිරීමට ඉඩ සලසයි.
4. අඩු ශබ්දය: GaAs උපස්ථර අඩු ශබ්ද මට්ටම් ප්‍රදර්ශනය කරයි, ඒවා අඩු ශබ්ද ඇම්ප්ලිෆයර් සහ අනෙකුත් සංවේදී ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදුම් සඳහා සුදුසු වේ.
GaAs උපස්ථර අධිවේගී ට්‍රාන්සිස්ටර, මයික්‍රෝවේව් ඒකාබද්ධ පරිපථ (ICs), ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා සෛල, ෆෝටෝන අනාවරක සහ සූර්ය කෝෂ ඇතුළු ඉලෙක්ට්‍රොනික සහ දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල බහුලව භාවිතා වේ.
මෙම උපස්ථර ලෝහ කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (MOCVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE) හෝ Liquid Phase Epitaxy (LPE) වැනි විවිධ ශිල්පීය ක්‍රම භාවිතයෙන් සකස් කළ හැක.භාවිතා කරන නිශ්චිත වර්ධන ක්රමය අපේක්ෂිත යෙදුම සහ GaAs උපස්ථරයේ ගුණාත්මක අවශ්‍යතා මත රඳා පවතී.
